| 在近日举行的2019中国（上海）集成电路创新峰会上，多位中科院院士和知名专家就我国集成电路技术和产业发展发表观点。一些专家认为，我国集成电路在紧跟发达国家、遵循摩尔定律技术路线的同时，要采取“市场驱动、人才支撑”战略，大力开发14纳米、28纳米等非先进技术节点的特色工艺，研制集成式智能传感器和微系统模组，同时扩大芯片制造工艺专业的本科生、研究生招生规模，为芯片制造企业提供更多人才。
制定市场驱动技术路线图
峰会上，复旦大学微电子学院院长、国家集成电路创新中心总经理张卫教授发布《中国集成电路技术路线图（2019版）》，从集成电路制造技术、先进光刻工艺、逻辑工艺技术、存储器技术、“超越摩尔”特制化技术、第三代功率半导体技术等6个方面为我国集成电路技术研发设立“路标”。
听完张卫的报告，中科院院士、中科院微电子研究所研究员刘明说：“我们要制定市场驱动下的技术路线图，并非一定要接近7纳米、5纳米和3纳米。”所谓“7纳米、5纳米和3纳米”，是指国际领先的芯片制造企业遵循摩尔定律，已达到或正在接近的3个技术节点。摩尔定律由英特尔创始人戈登·摩尔提出，指在价格不变的情况下，集成电路上可容纳的元器件数目和性能，每隔18—24个月会增加或提升1倍。目前，国际最先进的芯片制造企业台积电将进入5纳米大规模量产阶段，中国大陆领先企业与之差距很大。在刘明看来，中国大陆企业要尽快将14纳米工艺节点推向量产，还要根据市场需求，对看似落后的28纳米工艺节点做深度开发。因为智能手机、智能穿戴设备、自动驾驶汽车等兴起后，“超越摩尔”的技术需求量越来越大。所谓“超越摩尔”，是指非数字、多元化半导体技术与产品（如传感器）可以在成熟的工艺生产线上研发，无需遵循摩尔定律，在工艺尺寸上越做越小。
电子科技大学集成电路研究中心主任张波也表示：“我们不要一味紧跟摩尔定律、瞄准3纳米工艺节点，而是要将已有工艺做强做深，在14纳米、28纳米工艺节点上开发出一系列特色工艺。” | 
